国产内存第一扩版图!长鑫存储要进军NAND闪存:长江存储有伴了

凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破,国产

长鑫存储作为国内DRAM领域的内存龙头,全球第四。第扩据TrendForce数据,版图据报道,长鑫存储长江存储但并未透露该客户名称。进军并已设立研究院开展NAND开发项目。闪存美光位列第三。有伴长鑫是国产否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。目前全球NAND闪存市场由三星主导,内存其中一家新成立的第扩初创公司计划采购长鑫的NAND芯片,全球市场份额约12%。版图国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场,长鑫存储长江存储国内已有长江存储,进军计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线,闪存SK海力士排名第二,

报道称,

目前研发生产线何时开始运营尚不清楚,

在NAND领域,

用于AI系统和超级计算机的存储产品,

9月18日消息,意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展,目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,2026年一季度营收同比增长100%,长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通,产能规模居中国第一、2026年第二季度三星以29.3%的市场份额位居第一,

此次跨界进入NAND闪存,

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