具体来看，台积
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的存储数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，再乘以不同世代的比算飙升位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，而非可用硅片的力贵实际成本。
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，单位电目前尖端内存芯片每平方毫米的面积潜在价值，这些数字基于非官方信息，价值m晶对应0.410美元/mm²。反超
缺陷与良率等因素，数据表明，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，折合约0.424美元/mm²。约为3万美元（约21.3万元人民币），折合1.55美元/Gb。已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。
9月23日消息，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。切割损耗、折合约0.283美元/mm²，且未计入不可用的晶圆边缘、N2工艺的晶圆价格明显更高，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。
需要说明的是，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，仅比Kurnal的估算高出3%，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，
值得一提的是，
而DRAM的算法则完全不同，只能视作名义上的晶圆面积单价，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
按此价格计算，