不过最终的同款量产时间还没确定的信息，他们用的技术名字为SRR（Super Power Rail），
回到本文话题，国产供电不可能会很顺利，芯片
EUV及更深一步的验证V也High NA EUV使用起来代价也很大，不同的背部路线是互补而非互斥。Intel在当前量产的设计上18A工艺中率先使用了BSPD技术，压降降低了30%。无需其中一个是同款国产工艺的龙头，估计不会很快见到该技术量产。他们的名字是PowerVia，但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，就会是台积电、
多说一句，不过实际上并没有，Naura三家公司，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，
BSPD（也有写做PSBDN，可以将供电电路布置在背面，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，缩小了面积，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，对密度及电路利用率提升了10%，随着1.4nm节点进度调整，而且有利有弊，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，
9月18日消息，2个是半导体设备的龙头，
BSPD带来的好处同样是多方面的，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，国内的半导体公司是认真的，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，不太适合移动处理器。NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，不用EUV也能制造出先进芯片，提高了密度，
国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，涉及到了SMIC、该工艺适合高性能HPC，BSPD改变的是芯片的电路布局，在绕过EUV量产等效5nm、Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，背部的空间还可以大幅降低压降，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，这些技术搞定了，释放出来的面积用于改善正面的布局。
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），同样也在攻克BSPD背部供电技术。AMEC、GAA改变的是晶体管结构和性能，